退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
优点：1.使用方便，适应生产环境;
2.炉内温度快，各段温度均匀。
3、炉体维修期保证5年以上，且炉门、燃烧器等易碎部件维修方便。
缺点 ：
1.设备耗油量大，效率低，造成严重的环境污染
2.推钢轨产生的缺陷较多，维修困难，影响了生产
3.自动化控制程度低，报废率高，一般在12%。 改进措施 改造后的光亮退火炉炉温划分为为三区，其间由钢材推进器将工件推入炉内第一区--加热区，两面墙下交错设置4个烧嘴，轨道由耐火砖拱形支撑，使工件两侧均可加热，再分为两区、三区--恒温区，两面墙等高布置4个烧嘴。
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