退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
优点1、使用方便，习惯生产环境；
2、炉膛内升温敏捷且各段温度均匀；
3、炉体大修期确保五年以上，且炉门、烧嘴等易损部件维修方便。
缺点
1、设备耗油量大，效率低，环境污染严重；
2、由推钢轨道等引起的毛病多，维修困难，影响了生产；
3、自动化控制程度低，废品率高，一般在12%摆布。
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